Вестник ОмГУ Выпуск Тематика Литература

Вестник Омского университета, 1998, Вып. 1. С. 22-25.
© Омский государственный университет, 1998
УДК 539.612

Расчет работы выхода металлов в рамках метода функционала плотности

М.В.Мамонова, В.В.Прудников

Омский государственный университет, кафедра теоретической физики
644077, Омск, пр. Мира,55-A

Получена 20 ноября 1997 г.


Тне мethod of calculation of electron work function was eleborated in frame of electron density functional method for a number of simple and transition metals. The Heine-Abarenkov pseudopotential was applied for description of electron-ion interaction. The consideration of gradient corrections on inhomogeneous of electron density near surface and effects of displacement surface ionic plane were carried out.

Одной из важных поверхностных характеристик является работа выхода электрона с поверхности металла. Сложность теоретического описания и сопоставления результатов расчета работы выхода с экспериментальными значениями по сравнению с подобной задачей для поверхностной энергии металлов заключается в наблюдаемом на эксперименте малом относительном изменении величины работы выхода для всего ряда металлов. Так, молибден обладает наибольшим значением поверхностной энергии, которая почти в двадцать раз превышает значение поверхностной энергии калия, в то время как значения работы выхода для них отличаются всего в два раза. До сих пор удовлетворительного согласия расчетных и экспериментальных результатов для работы выхода не было получено.

В предлагаемой работе в рамках метода функционала плотности проведен расчет работы выхода для ряда металлов. Исследованы влияния различных приближений, учитывающих дискретность кристаллической структуры и неоднородность электронного газа в поверхностном слое металлов.

Работа выхода определяется как минимальная энергия, необходимая для удаления электрона из объема твердого тела. Ее природа связана с существованием потенциального барьера вблизи поверхности металла. Величина работы выхода определяется разностью высоты потенциального барьера и химического потенциала:

(1)

Величину потенциала дипольного электрического слоя VD, действующего на электрон вблизи поверхности в рамках модели "желе", можно получить из уравнения Пуассона:

(2)

В результате

(3)

Тогда высота дипольного потенциального барьера D0 в модели "желе" определяется выражением:

(4)

Распределение электронной плотности n(z) находится как функция, обеспечивающая минимум функционала полной энергии неоднородной системы.

Таблица 1

Результаты расчета значений поверхностной энергии (эрг/см2) и работы выхода W(эВ) для ряда металлов в модели псевдопотенциала Ашкрофта с учетом градиентных поправок для наиболее плотноупакованных граней

Металл Величина Градиентная поправка 2-го порядка Град.поправка 4-го порядка к кин.эн. Град.поправка 4-го порядка к обм.-кор.эн.
Na 267 300 374
(ОЦК) W 2.63 3.1 3.8
K 151 166 196
(ОЦК) W 2.07 2.38 2.87
Al 941 1165 1860
(ГЦК) W 3.25 4.2 6.3
Cu 872 1104 1798
(ГЦК) W 3.98 4.95 7.07
Fe 635 1043 2394
(ОЦК) W 3.44 4.56 7.31
Cr 641 1034 2334
(ОЦК) W 3.5 4.57 7.27

Примечание. Подчеркнуты значения, наиболее соответствующие эксперименту.

При практических расчетах используется метод пробных функций, когда распределение электронной плотности n(z) выбирается в виде решения линеаризованного уравнения Томаса-Ферми:

(5)

где n0 - объемная электронная плотность; - вариационный параметр, определяемый при минимизации функционала полной энергии неоднородной системы. Тогда после интегрирования (4) получаем, что

(6)

Учтем дискретное распределение заряда ионов. Следуя работе [1}, запишем дополнительный вклад к потенциальному барьеру за счет электрон-ионного взаимодействия в виде:

(7)

где имеет смысл среднего по плоскостям от суммы потенциалов ионов за вычетом потенциала полубесконечного однородного положительного фона. Так как выражение (7) однородно относительно ne, то ne - можно считать равной поверхностной плотности заряда, индуцированной слабым электрическим полем с напряженностью Ez в полубесконечной модели однородного фона:

(8)

Для вычисления поправки на электрон-ионное взаимодействие воспользуемся широко применяемым в физике металлов псевдопотенциалом Хейне-Абаренкова:

(9)

Таблица 2

Результаты расчета параметров псевдопотенциала Хейне-Абаренкова Rm и V0, вариационных параметров и , работы выхода (эВ) с учетом и W(эВ) без учета релаксации.
Z - валентность ионов, Wэксп - экспериментальные значения работы выхода

Металл Z Wэксп, эВ Rm, ат.ед. V0, ат.ед. ат.ед. ат.ед. W, эВ эВ
Na (ОЦК) 1 2.35 2.7 0.326 0.813 0.119 2.59 1.99
K (ОЦК) 1 2.137 2.5 0.087 0.679 0.145 2.13 1.66
Al (ГЦК) 3 4.24 1.2 0.19 1.151 0.052 4.25 2.85
Cu (ГЦК) 2 4.98 1.4 0.603 0.993 0.095 7.16 4.93
Fe (ОЦК) 4 4.31 1.2 0.475 1.149 0.064 7.24 4.43
Cr (ОЦК) 4 4.58 1.3 0.53 1.137 0.065 7.18 4.44

При условии V0=0 потенциал Хейне-Абаренкова переходит в выражение для другого известного псевдопотенциала Ашкрофта. Для при -d<z<0 нами было получено следующее выражение:

(10)

Проводя суммирование по ионным плоскостям с z=-(i+d/2),i=1,2,... и воспользовавшись периодичностью потенциала , из (7) получим

(11)

Учет эффектов смещения поверхностной ионной плоскости относительно своего объемного положения на величину приводит к дополнительному вкладу в величину дипольного барьера:

(12)

где d - межплоскостное расстояние. В результате величина дипольного потенциального барьера определяется суммой вкладов: Химический потенциал электронного газа определяется своим объемным значением:

где w - плотность объемной энергии кристалла. В приближении локальной плотности объемная энергия металла, приходящаяся на один атом и выраженная через параметр плотности rs , определяется выражением:

(13)

В результате выражение для химического потенциала c учетом обменно-корреляционных и псевдопотенциальных поправок принимает вид:

(14)

В настоящей работе для определения параметров псевдопотенциала Хейне-Абаренкова использовалось условие минимума объемной энергии металла. Минимизация соотношения (13) по rs приводит к выражению, связывающему V0 и Rm. Второй параметр определялся из сопоставления расчетных и экспериментальных значений поверхностной энергии. Методика расчета поверхностной энергии и параметров псевдопотенциала Хейне-Абаренкова изложены в нашей работе [2]. С целью улучшения количественного согласия значений поверхностной энергии для переходных и благородных металлов нами в данной работе был проведен учет влияния на поверхностные характеристики члена четвертого порядка по степеням градиента n(z) в разложении функционала полной энергии [3]. Результаты расчета приведены в табл.1. Видно, что для простых металлов наилучшим является использование градиентных поправок только второго порядка. Для Al необходим учет градиентных поправок четвертого порядка к кинетической энергии, что обусловлено большей неоднородностью электронного газа при s-p гибридизации квантовых состояний электронов. Для благородных и переходных металлов наилучшее согласие с экспериментальными значениями поверхностной энергии было получено при использовании градиентных поправок четвертого порядка к кинетической и обменно-корреляционной энергиям, что обусловлено эффектами s-p-d гибридизации.

Необходимые для вычисления высоты потенциального барьера D значения вариационных параметров и в данной работе определялись при минимизации поверхностной энергии и приведены в табл.2. Видно, что без учета эффектов смещения поверхностной ионной плоскости получается хорошее согласие результатов расчета с экспериментальными значениями работы выхода для простых металлов и значительное их завышение для переходных. Учет эффектов релаксации поверхности приводит к соответствию значений для переходных металлов, но занижает их для простых. В связи с сильной зависимостью величины работы выхода от смещения ионной плоскости (от 20 до 50 %) возникает необходимость более точного, по сравнению с поверхностной энергией, определения параметра релаксации. Для этого, по-видимому, необходимо учесть эффекты смещения нескольких ионных приповерхностных слоев.


Литература

[1] Lang N.D., Kohn W. // Phys.Rev. 1971. B 3. P. 1215.
[2] Мамонова M.В, Потерин Р.В, Прудников В.В. Расчет поверхностной энергии металлов в рамках модели обобщенного псевдопотенциала Хейне-Абаренкова. // Вестник Омского университета. 1996. N 1. C.41-43.
[3] Вакилов А.Н., Прудников В.В., Прудникова М.В. Расчет решеточной релаксации металлических поверхностей с учетом влияния градиентных поправок на неоднородность электронной системы // ФММ. 1993. 76. N 6. C.38-48.