Вестник ОмГУ | Выпуск | Тематика | Литература |
Вестник Омского университета, 1998,
Вып. 4. С. 23-25. © Омский государственный университет, 1998 |
УДК 531+538.945 |
Н.В. Блинов, И.В. Широков, К.Н. Югай
Омский государственный университет,
кафедра общей физики
644077, Омск, пр. Мира, 55-А
Получена 12 октября 1998 г.
Properties of an asymmetric and noisy dc-SQUID have been studied both
analytically and using numerical simulation. The dependence of the SQUID transfer function on the bias current, noise parameter, critical current asymmetry and the modulation parameter b has been calculated. |
DC-сквид - сверхпроводящее квантовое интерференционное устройство на постоянном токе - является одним из самых чувствительных сенсоров, реагирующих на изменение магнитного потока. Детальное описание dc-сквида дано во многих работах (см., например, [1-4]). В практически важных случаях при изготовлении dc-сквидов, с использованием фоторезистивной технологии неизбежна определенная асимметрия сквида, которая возникает в общем случае из-за неравенства критических токов, индуктивностей и нормальных сопротивлений плеч интерферометра. Существенное влияние на работу dc-сквидов изготовленных из высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП), оказывают тепловые шумы, в частности джонсоновский шум, возникающий из-за наличия шунтирующего сопротивления переходов [5-9].
Для оптимизации работы сквида важно понимать влияние асимметрии и шума на его чувствительность. Поскольку асимметрия dc-сквида, по индуктивности зависящая от геометрии перехода, незначительно влияет на его чувствительность [5], будем полагать, что асимметрия сквида обусловлена только неодинаковостью критических токов Ic1 и Ic2 плеч интерферометра. В этом приближении уравнения асимметричного шумящего dc-сквида можно записать в виде [5]:
(1) |
Здесь V- потенциал на сквиде, нормированный
на величину ,
время нормировано на величину
; j1 и j2 - разности фаз волновой
функции сверхпроводящего конденсата
соответсвенно на 1-м и 2-м джозефсоновском
переходах сквида; i и iL - токи
смещения (I1+I2)/2 и круговой
ток (I2-I1)/2 сквида (I1
и I2 - токи на соответствующих плечах
сквида), нормированные на величину Ic = (Ic1+Ic2)/2;
ic1 и ic2 - критические токи
переходов; if1 и if2 - шумовые
токи на 1-м и 2-м плечах сквида, нормированные на Ic;
Fe - внешний магнитный
поток через сквид, нормированный на квант потока F0. Параметр модуляции b определяется следующим образом: b = 2IcL/F0,
где L есть полная индуктивность сквида.
Параметр асимметрии по критическим токам
перехода a определяется
следующим образом: a = (Ic2-Ic1)/(Ic2+Ic1),
т.е. параметр асимметрии может изменяться в
диапазоне 0...1. При записи системы
уравнений (1) использовано соотношение R1Ic1
= R2 Ic2 =Vc
(см., например, [3]).
Решение системы уравнений (1) позволит определить все важнейшие свойства dc-сквида, в частности, построить вольт-амперную и вольт-потоковую характеристики, определить чувствительность сквида в зависимости от различных параметров: тока смещения, параметров a и b.
При достаточно малых значениях параметра b (b << 1) система (1) без шумовых токов может быть решена аналитически. Введем функции
(2) |
Тогда вместо (1) будем иметь уравнения для j+ и j- в виде:
(3) | |
(4) |
Уравнение (4) может быть записано в интегральном виде:
(5) |
где |
При больших t уравнение (5), как легко показать, принимает вид:
(6) |
Покажем, что второе слагаемое уравнения (6) мало при малых b:
(7) |
Таким образом, при |
(8) |
решение j-(t)
осциллирует вблизи значения , причем диапазон разброса
решения определяется соотношением (8). Обозначим
(9) |
тогда приближенное решение уравнения (6) можно записать в виде:
(10) |
Подставив (10) в (3), получим
(11) |
Интегрирование этого уравнения дает
(12) |
где |
Потенциал на сквиде V(t) получаем из (12):
(13) |
Среднее значение V(t) равно
(14) |
На рис. 1 приведены теоретическая (b = 0) зависимость чувствительности сквида
S = , где DV - модуляция потенциала сквида
на вольт-потоковой характеристике от параметра
асимметрии a и результаты
численных расчетов для различных значений b. На рис. 2 представлены
теоретические зависимости чувствительности
сквида от a при различных токах
смещения.
![]() |
![]() |
Рис. 1. Зависимость чувствительности сквида от параметра асимметрии a. Сравнение теоретического результата и численного расчета | Рис. 2. Зависимость чувствительности сквида от параметра асимметрии a при различных значениях тока смещения |
![]() |
![]() |
Рис. 3. Зависимость чувствительности сквида от тока смещения при различных значениях a | Рис. 4.
Зависимость чувствительности сквида от тока смещения при различных значениях b |
![]() |
Рис. 5. Зависимость чувствительности сквида от тока смещения при различных значениях G |
Видно, что чувствительность падает при увеличении тока смещения по сравнению с критическим значением, а также с увеличением b и a.
Уравнения (1) с учетом шума интегрировались численно. Свойства джонсоновского шума учитывались стандартным способом (см., например, [1,4,5]) и задавались параметром шума
G = 2pkB T / IcF0,
где kB - постоянная Больцмана. Результаты расчетов представлены на рис. 3-5. Как видим, шум оказывает существенное влияние на характеристики сквида и понижает его чувствительность.
В заключение отметим, что асимметрия вместе с шумом могут иметь существенное значение для пленочных ВТСП dc-сквидов, изготавливаемых с помощью фоторезистивной технологии.
[1] | Clarke J. Superconducting quantum interference devices for low frequency measurements. NASI 76. P. 67-124. 1976. |
[2] | Лихарев К.К., Ульрих Б.Т. Системы с джозефсоновскими контактами. М.: Изд-во МГУ, 1978. |
[3] | Лихарев К.К. Введение в динамику джозефсоновских переходов. М.: Наука, 1985. |
[4] | Бароне А., Патерно Дж. Эффект Джозефсона: физика и применения. М.: Мир, 1984. |
[5] | Tesche C.D., Clarke J. Dc SQUID: Noise and Optimization // Low Temp. Phys. 1977. V. 29. Nos. 3/4. P. 301-331. |
[6] | Tesche C.D., Clarke J. Dc SQUID: Current Noise // Low Temp. Phys. 1979. V. 37. Nos. 3/4. P. 397-403. |
[7] | Tesche C.D. A Thermal Activation Model for Noise in the DC SQUID // Low Temp. Phys. 1981. Nos. 1/2. P. 119-147. |
[8] | Enpuku K., Shimomura Y., Kisu T. Effect of thermal noise on the characteristic of a high Tc superconducting quantum interference device // Appl. Phys. 1993. V. 73. N. 11. P. 7929-7934. |
[9] | Enpuku K., Tokita G., Maruo T. Inductance dependence of noise properties of a high-Tc dc superconducting quantum interference device // Appl. Phys. 1994. V. 76. N. 12. P. 8180-8185. |