Вестник ОмГУ Выпуск Тематика Литература

Вестник Омского университета, 1998, Вып. 4. С. 23-25.
© Омский государственный университет, 1998
УДК 531+538.945

Шумящий асимметричный DC-сквид

Н.В. Блинов, И.В. Широков, К.Н. Югай

Омский государственный университет, кафедра общей физики
644077, Омск, пр. Мира, 55-А

Получена 12 октября 1998 г.


Properties of an asymmetric and noisy dc-SQUID have been studied both analytically and using numerical simulation.
The dependence of the SQUID transfer function on the bias current, noise parameter, critical current asymmetry and the modulation parameter b has been calculated.

DC-сквид - сверхпроводящее квантовое интерференционное устройство на постоянном токе - является одним из самых чувствительных сенсоров, реагирующих на изменение магнитного потока. Детальное описание dc-сквида дано во многих работах (см., например, [1-4]). В практически важных случаях при изготовлении dc-сквидов, с использованием фоторезистивной технологии неизбежна определенная асимметрия сквида, которая возникает в общем случае из-за неравенства критических токов, индуктивностей и нормальных сопротивлений плеч интерферометра. Существенное влияние на работу dc-сквидов изготовленных из высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП), оказывают тепловые шумы, в частности джонсоновский шум, возникающий из-за наличия шунтирующего сопротивления переходов [5-9].

Для оптимизации работы сквида важно понимать влияние асимметрии и шума на его чувствительность. Поскольку асимметрия dc-сквида, по индуктивности зависящая от геометрии перехода, незначительно влияет на его чувствительность [5], будем полагать, что асимметрия сквида обусловлена только неодинаковостью критических токов Ic1 и Ic2 плеч интерферометра. В этом приближении уравнения асимметричного шумящего dc-сквида можно записать в виде [5]:

(1)

Здесь V- потенциал на сквиде, нормированный на величину , время нормировано на величину ; j1 и j2 - разности фаз волновой функции сверхпроводящего конденсата соответсвенно на 1-м и 2-м джозефсоновском переходах сквида; i и iL - токи смещения (I1+I2)/2 и круговой ток (I2-I1)/2 сквида (I1 и I2 - токи на соответствующих плечах сквида), нормированные на величину Ic = (Ic1+Ic2)/2; ic1 и ic2 - критические токи переходов; if1 и if2 - шумовые токи на 1-м и 2-м плечах сквида, нормированные на Ic; Fe - внешний магнитный поток через сквид, нормированный на квант потока F0. Параметр модуляции b определяется следующим образом: b = 2IcL/F0, где L есть полная индуктивность сквида. Параметр асимметрии по критическим токам перехода a определяется следующим образом: a = (Ic2-Ic1)/(Ic2+Ic1), т.е. параметр асимметрии может изменяться в диапазоне 0...1. При записи системы уравнений (1) использовано соотношение R1Ic1 = R2 Ic2 =Vc (см., например, [3]).

Решение системы уравнений (1) позволит определить все важнейшие свойства dc-сквида, в частности, построить вольт-амперную и вольт-потоковую характеристики, определить чувствительность сквида в зависимости от различных параметров: тока смещения, параметров a и b.

При достаточно малых значениях параметра b (b << 1) система (1) без шумовых токов может быть решена аналитически. Введем функции

(2)

Тогда вместо (1) будем иметь уравнения для j+ и j- в виде:

(3)

(4)

Уравнение (4) может быть записано в интегральном виде:

(5)

где    

При больших t уравнение (5), как легко показать, принимает вид:

(6)

Покажем, что второе слагаемое уравнения (6) мало при малых b:

(7)

Таким образом, при 

(8)

решение j-(t) осциллирует вблизи значения , причем диапазон разброса решения определяется соотношением (8). Обозначим

(9)

тогда приближенное решение уравнения (6) можно записать в виде:

(10)

Подставив (10) в (3), получим

(11)

Интегрирование этого уравнения дает

(12)

где

Потенциал на сквиде V(t) получаем из (12):

(13)

Среднее значение V(t) равно

(14)

На рис. 1 приведены теоретическая (b = 0) зависимость чувствительности сквида

S = , где DV - модуляция потенциала сквида на вольт-потоковой характеристике от параметра асимметрии a и результаты численных расчетов для различных значений b. На рис. 2 представлены теоретические зависимости чувствительности сквида от a при различных токах смещения.

ris1.gif (11297 bytes) ris2.gif (11076 bytes)
Рис. 1. Зависимость чувствительности сквида от параметра асимметрии a. Сравнение теоретического результата и численного расчета Рис. 2. Зависимость чувствительности сквида от параметра асимметрии a при различных значениях тока смещения
ris3.gif (10884 bytes) ris4.gif (10110 bytes)
Рис. 3. Зависимость чувствительности сквида от тока смещения при различных значениях a Рис. 4. Зависимость чувствительности сквида от
тока смещения при различных значениях b
ris5.gif (9324 bytes)
Рис. 5. Зависимость чувствительности сквида от тока смещения при различных значениях G

Видно, что чувствительность падает при увеличении тока смещения по сравнению с критическим значением, а также с увеличением b и a.

Уравнения (1) с учетом шума интегрировались численно. Свойства джонсоновского шума учитывались стандартным способом (см., например, [1,4,5]) и задавались параметром шума

G = 2pkB T / IcF0,

где kB - постоянная Больцмана. Результаты расчетов представлены на рис. 3-5. Как видим, шум оказывает существенное влияние на характеристики сквида и понижает его чувствительность.

В заключение отметим, что асимметрия вместе с шумом могут иметь существенное значение для пленочных ВТСП dc-сквидов, изготавливаемых с помощью фоторезистивной технологии.


Литература

[1] Clarke J. Superconducting quantum interference devices for low frequency measurements. NASI 76. P. 67-124. 1976.
[2] Лихарев К.К., Ульрих Б.Т. Системы с джозефсоновскими контактами. М.: Изд-во МГУ, 1978.
[3] Лихарев К.К. Введение в динамику джозефсоновских переходов. М.: Наука, 1985.
[4] Бароне А., Патерно Дж. Эффект Джозефсона: физика и применения. М.: Мир, 1984.
[5] Tesche C.D., Clarke J. Dc SQUID: Noise and Optimization // Low Temp. Phys. 1977. V. 29. Nos. 3/4. P. 301-331.
[6] Tesche C.D., Clarke J. Dc SQUID: Current Noise // Low Temp. Phys. 1979. V. 37. Nos. 3/4. P. 397-403.
[7] Tesche C.D. A Thermal Activation Model for Noise in the DC SQUID // Low Temp. Phys. 1981. Nos. 1/2. P. 119-147.
[8] Enpuku K., Shimomura Y., Kisu T. Effect of thermal noise on the characteristic of a high Tc superconducting quantum interference device // Appl. Phys. 1993. V. 73. N. 11. P. 7929-7934.
[9] Enpuku K., Tokita G., Maruo T. Inductance dependence of noise properties of a high-Tc dc superconducting quantum interference device // Appl. Phys. 1994. V. 76. N. 12. P. 8180-8185.